干法刻蚀和湿法刻蚀的区别在于工艺原理、刻蚀特性及应用场景：?干法刻蚀利用等离子体或气相反应实现各向异性刻蚀，高但成本高；湿法刻蚀依赖液态化学溶液实现各向同性刻蚀，成本低但差?，两者在半导体制造中互补使用。??
优缺点分析
?干法刻蚀优势?：
1、高与方向性，适合深宽比结构（如DRAM存储器的电容沟槽）。??
2、片内均匀性好，洁净度高，无液体残留。???
干法刻蚀劣势?：
1、对下层材料选择比低，可能造成晶格损伤。??
2、设备投资大，工艺参数调控复杂。???
湿法刻蚀优势?：
1、成本低、速率快，适合批量处理（如浸泡25片晶圆）。??
2、选择比高（如对特定金属腐蚀性强），操作简便。???
湿法刻蚀劣势?：
1、图形控制性差，无法用于先进制程（如<7nm）。??
2、废液处理难题，安全性风险较高。??